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陈涛


发布日期:2019-06-09

陈涛,男,1984.3出生,汉族,中共党员,职称:副教授
教育经历:
博士:天津大学,电信ya博,微电子与固体电子学专业
硕士:天津大学,电信ya博,微电子与固体电子学专业
本科:天津大学,电信ya博,电子科学与技术专业
工作经历:
2018.03至今,天津科技大学电子信息与自动化ya博 副教授
2011.07-2018.03 中国电子科技集团公司第四十六研究所 高级工程师
主要兼职及获奖情况:
1. 天津市“131”人才三层次人选
2. 2015年度,国防科技进步二等奖
3. 《材料导报》期刊审稿人
研究方向:
1. 硅光子器件及系统设计与开发
2. 工业生产自动化系统设计与开发
科研情况:
1. L波段LDMOS器件用硅外延片-主持        (原总装新品项目)
2. 微波脉冲功率器件用硅外延片-主持       (原总装技术推动项目)
3. 雪崩光电器件用多层结构硅外延片-主持     (装备发展部支撑项目)
4. 压电陶瓷工艺设备改进设计-主持        (横向科技项目)
学术成果:
论文:
[1] Chen Tao,Hu Ming, Liang Ji-ran, Lu Jia-ning, Tan Lei,“Study on the preparation of vanadium oxide thin films by the metal-oxygenation method”, Proc. SPIE, Vol. 738117:1~7, 2009年06月,EI检索:20094812508883
[2] Tao Chen, Ming Hu, Lei Tan, Liu-Chen Wang, Li Li,“Study on switching performance of VOx thin film in THz band”, Proc. 10th ICSICT-2010: 1560~1562: 2010年11月,EI检索:20110413609400
[3] 陈涛,李普生,图布新,李明达,“硅外延生长高频感应系统的热场仿真”,《半导体技术》,2017年,第10期,第42卷,
[4] 陈涛,“基于层流模型的CVD外延流场仿真”,《固体电子学研究与进展》,2017年,第6期,第37卷
[5] 陈涛,胡明,梁继然,后顺保,吕志军,栗力,“氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究”,《光电子·激光》,2011年,第22卷,第9期
[6] 陈涛,王文林,薛兵,“外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响”,《科技风》,2014年,第16期
[7] 陈涛,李明达,李杨,“硅外延片批产测试抽样方式研究”,《科研》,2016年,第1期
[8] 陈涛,李明达,李杨,“CV法测试电阻率的稳定性研究”,《科技创新与应用》,2016年,第1期
专利:
[1] “一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法”, 201610618664.3
[2] “一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法”, 201610618667.7
[3] “一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法”, 201410570410.X
[4] “一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延片的方法”, 201510284427.3
[5] “一种改善外延片电阻率和厚度一致性的制备方法”, 201310527944.X
[6] “一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法”, 201010276138.6
[7] “金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法”, 200910069046.8
联系方式:
通讯地址(邮编):中国天津市河西区大沽南路1038号天津科技大学电子信息与自动化ya博16号楼430室(300222)
E-MAIL:chentao@tust.edu.cn